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    并联后的各个电容两端电压相等；并联后的耐压取决于耐压**小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体（介质）构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类；按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器：包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好，可以应用GHz级别的超高频器件上，比如CPU/GPU。当然，它的价格也很贵。云母电容（CY）电容量：10p--0。1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4。7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0。1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路单片陶瓷电容器。华科电容一级代理找巨新科。龙华区电解电容器组

    它是一个多层叠合的结构，由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。耐高温耐湿性好等。大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了。就温漂而言：独石电容为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小.就价格而言：钽、铌电容贵，独石,CBB较便宜，瓷片电容低。但是有些高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也比较贵。电容器的标称参数主要参数：标称容量以及允许偏差。目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%+-10%+-20%。标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中；通常电解电容器的容量较大。电容的标称值分为E24、E12、E6三个系列：E6系列为常用的，E12系列次之，E24系列又次之。E24系列的取值为、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、乘以10的n次方；E12系列的取值为、、、、、、、、、、、；E6系列的取值为、、、、、。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。罗湖区CBB电容公司华科车规电容原装现货。

    众所周知，开关电源是当今信息家电设备的主要电源，为电子设备小型轻便化作出不可磨灭的贡献。开关电源不断的小型化、轻量化和高效率，在电子设备中使用量越来越大，普及率越来越高。相应的就要求电解电容器小型大容量化，耐纹波电流，高频低阻抗化，高温度长寿命化和更适应高密度组装。1电容量与体积由于电解电容器多数采用卷绕结构，很容易扩大体积，因此单位体积电容量非常大，比其它电容大几倍到几十倍。但是大电容量的获取是以体积的扩大为代价的，现在开关电源要求越来越高的效率，越来越小的体积，因此，有必要寻求新的解决办法，来获得大电容量、小体积的电容器。在开关电源的原边一旦采用有源滤波器电路，则铝电解电容器的使用环境变得比以前更为严酷：高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流，而且大幅度增加；变换器的主开关管发热，导致铝电解电容器的周围温度升高；变换器多采用升压电路，因此要求耐高压的铝电解电容器。这样一来，利用以往技术制造的铝电解电容器，由于要吸收比以往更大的脉动电流，不得不选择大尺寸的电容器。结果，使电源的体积庞大，难以用于小型化的电子设备。为了解决这些难题，必须研究与开发一种新型的电解电容器，体积小、耐高压。

    有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线，非常全，不得不再次推荐一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用极多的是C0G电容，性能稳定，适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定，基本不随外界条件(频率除外)变化，下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高频系列，可见GQM系列高频性能更好，自谐振频率和Q值更高，一些高频性能要求很高的场合，可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜，更加通用，例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质，性能不稳定，容值变化范围大，通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例，相关特性曲线：图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容，容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。华科电容一级代理商。

    2铝电解电容铝电解电容(湿式)铝电解电容(湿式)无论是插件还是贴片封装，高度都比较高，而且ESR都较高，不适合于放置于IC附近做电源去耦，通常都是用于电源电路的输入和输出电容。原图来自KEMET规格书容值从规格书中获取电容值容差，通常铝电解电容的容差都是±20%。计算极大容值和极小容值时，各项参数要满足设计要求。额定电压铝电解电容通常只适用于直流场合，设计工作电压至少要低于额定电压的80%。对于有浪涌防护的电路，其额定浪涌电压要高于防护器件(通常是TVS)的残压。对于一些POE供电的设备，根据，工作电压极高可达57V，那么选择的TVS钳位电压有90多V，那么至少选择额定电压100V的铝电解电容。此时，也只有铝电解电容能同时满足大容量的要求。原图来自Littelfuse的TVS规格书耗散因数设计DCDC电路时，输出电容的ESR影响输出电压纹波，因此需要知道铝电解电容的ESR，但大多数铝电解电容的规格书只给出了耗散因数tanδ。可以根据以下公式来计算ESR：ESR=tanδ/(2πfC)120Hz时，tanδ为16%，而C为220uF，则ESR约为965mΩ。可见铝电解电容的ESR非常大，这会导致输出电压纹波很大。因此，使用铝电解电容时，需要配合使用片状陶瓷电容，靠近DCDC芯片放置。巨新科是风华电容原产渠道。盐田区Y电容触摸屏

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    在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。损耗角正切：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数。龙华区电解电容器组

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